10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9060NR1
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
850
865
880
2.28 + j0.23
2.20 + j0.47
2.18 + j0.33
0.44 - j0.20
0.44 - j0.07
0.45 + j0.50
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA, P
out
= 14 W Avg.
895
910 2.00 + j0.680.52 + j0.29
2.15 + j0.61
0.48 + j0.18
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Zo
= 5
Ω
f = 850 MHz
f = 910 MHz
Zsource
f = 850 MHz
f = 910 MHz
Zload
相关PDF资料
MRFE6S9125NR1 MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4
MRFE6S9130HSR5 MOSFET RF N-CH 27W NI-780S
MRFE6S9135HSR5 MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S
MRFE6S9160HSR5 MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S
MRFE6S9200HSR5 MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S
MRFE6S9201HSR5 MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S
MRFE6S9205HSR5 MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S
MRFE6VP5600HR5 FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230
相关代理商/技术参数
MRFE6S9060NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9060 Series 880 MHz 14 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET
MRFE6S9125NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9125NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray